一、mos驱动隔离变压器用什么磁芯？
变压器用什么磁芯并不决定于用什么驱动。
这主要要看变压器通过电量的参数,主要是工作频率和电流/电压的变化速率。对于mos驱动,它既可以工作在低频及正弦规律变化或高变化速率的状态下,也可以工作在高频及方波类高变化速率或低变化速率的状态下。因此变压器采用什么磁芯只能由你根据电量参数来选用,因为你的问题中没有交代。希望此答能帮助到你。二、mos管驱动为什么要用图腾柱?用一个三极管不行吗？
不行。主要原因如下：
1、mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。当脉冲频率非常高时，这个电容所造成的影响会非常突出，由此所产生的栅极电流峰值甚至可以超过10A，从而产生电流，因此要选驱动能力强的图腾柱电路来提供栅极信号。如果栅极信号是脉冲，一个三极管也可以。
2、mos管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
3、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三、mos芯片输出驱动为什么一般用pmos做上管，nmos做下管？
你这是数字芯片吧- -
而且那不是上管和下管，是上拉网络和下拉网络- -
为了实现逻辑啊，如果只有上拉或者下拉网络，没办法实现跳0或者跳1
四、mos管h桥怎么驱动？
关于这个问题，MOS管H桥可以驱动直流电机或直流负载。驱动方法如下：
1. 驱动器：使用专用的驱动器芯片，例如IR2110或IR2184等，通过输入PWM信号控制MOS管的导通和截止。
2. 微控制器：使用微控制器来生成PWM信号，控制MOS管的导通和截止。
3. 电路板：使用电路板来控制MOS管的导通和截止，例如使用集成电路或离散元件。
4. 控制器：使用专用的控制器来控制MOS管的导通和截止，例如使用PLC或单片机等。
无论使用哪种方法，都需要根据具体的应用要求选择合适的MOS管和其他电路元件，并进行适当的电路设计和调试。
五、mos管为什么要推挽驱动？
MOS管推挽驱动可以实现高效率、高功率、高可靠性的功率放大。推挽电路可以将输入信号转换为高电平和低电平两个状态，从而控制电路开关，使得电路可以输出电压和电流更大的信号，以驱动高功率负载。
此外，推挽电路可以有效减小MOS管的工作温度，提高其可靠性和寿命。因此，在需要大功率放大和可靠性的场合，MOS管推挽驱动是一种非常有效的电路设计方案。
六、mosfet驱动芯片原理？
由于 MOS 管 IRF640 的驱动电压为 15V，所以，首先是在 J1 处接入 15V 的方波信号，经过电阻 R4 接稳压管 1N4746，使触发电压稳定，也使得触发电压不至于过高，烧坏 MOS 管，然后接到 MOS 管 IRF640(其实这就是个开关管，控制后端的开通和关断) ， MOS 管经过控制驱动信号的占空比， 能够控制 MOS 管的开通和关断时间。
当 MOS 管开通时，相当于它的 D 极接地，关断时是断开的，经过后级电路相当于接 24V。而变压器就是经过电压的变化来使右端输出 12V 的信号。
变压器右端接一个整流桥，然后从接插件 X1 输出 12V的信号。
七、mos并联驱动电路详解？
关于这个问题，MOS并联驱动电路是一种电路拓扑结构，它由多个MOS管并联组成，用于驱动大功率负载的电路。该电路的特点是输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载。
MOS并联驱动电路的基本原理是利用多个MOS管并联，将输入信号分配到各个MOS管上，从而达到增大输出电流的目的。由于MOS管具有低电阻、高可靠性、高速开关等特点，因此能够满足高速、高精度的驱动要求。
MOS并联驱动电路的结构一般由输入端、并联MOS管、输出端和电源组成。输入端接受控制信号，经过信号处理后通过驱动电路输入到并联MOS管中。输出端接受并联MOS管的输出信号，将其输出到负载中。电源为整个电路提供工作电压和电流。
在MOS并联驱动电路中，每个MOS管都有其独立的驱动电路。当输入信号到达时，各个驱动电路将其分配到各个MOS管上，同时控制各个MOS管的开关动作，从而产生输出信号。由于多个MOS管并联，因此输出电流可以相应地增大，同时输出电压可以降低，从而适应不同的负载。
总之，MOS并联驱动电路是一种高速、高精度、高可靠性的电路拓扑结构，能够满足驱动大功率负载的要求。其主要优点包括输出电流大、输出电压低、响应快、能够适应不同的负载等。对于需要驱动大功率负载的应用场合，MOS并联驱动电路是一种很好的选择。
八、mos是电流驱动还是电压驱动？
IGBT驱动电路是通过驱动电源、门极电阻、门极电容等使IGBT实现开通和关断。IGBT开通时，电压会通过IGBT加在负载上，如电机电感。通过合理控制开通时间使电感电流达到需要的值。
另外，驱动电路一般还需要集成保护功能，如短路保护、VGE钳位、VCE电压钳位等；
九、想要用一个5V左右的PWM信号来控制一个MOS管的开关，希望用到光耦作为中间的驱动和隔离的电路？
不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。 建议使用 TLP250 或类似芯片。
十、MOS管驱动电阻的选择？
选择MOS管的驱动电阻应考虑以下因素：
1.根据MOS管的额定电流和工作电压选择合适的功率电阻；
2.根据MOS管的输入电容和驱动电路的频率选择合适的阻值以确保迅速充放电；
3.根据MOS管的开关速度和驱动要求选择低电阻值以降低功耗和热量；
4.确保电阻的功率额定值大于所需功率来避免过载。最好参考MOS管的数据手册和相关驱动电路设计指南进行选择。