一、整流桥二极管mb6s芯片50和芯片46参数是一样吗？
不一样的，小芯片达不到标准参数！我公司就是生产这一块的，有问题可以找我
二、mb6s整流桥输出多少伏？
1. mb6s整流桥输出的电压为0.7V。2. 因为mb6s整流桥是一种常用的整流器件，其输出电压是由其内部二极管的正向压降决定的，而mb6s整流桥内部的二极管正向压降为0.7V。3. mb6s整流桥的输出电压是一个重要的参数，它在电子电路中有着广泛的应用。在设计电源、充电器等电子设备时，需要根据mb6s整流桥的输出电压来选择合适的元器件，以保证电路的正常工作。
三、MB6S整流桥内部结构？
你是想知道制造工艺？简单的讲，里面有4个芯片，按照一定的电性排列，连接起来，封装后就是那样的。“~”表示接交流极；“+ —”接负载。
顺便给你讲下作业指导
1.1将连接片装入烧结模下模，凸点向上．
1.2 用焊片吸盘将焊片放入烧结模内的连接片上．
1.3 用吸笔将芯片吸起放在连接片上，芯片在吸盘上第1位置时芯片的正面朝上，（参考工艺文件）
第2位置的芯片正面朝下．
1.4 保证每个吸孔上只有一粒焊片，倒扣在石墨模上，提住乳胶管.
1.5 用镊子轻轻敲击吸盘背面，让芯片轻轻落入模腔内的连接片上。
1.6 用焊片吸盘将焊片放在芯片上，校正焊片在芯片上的位置，喷适量的助焊剂。
1.7 将框架轻轻平放在烧结模上，不得移动框架，再放上盖板．准备烧结．
另外：你若想看到内部结构，用化学腐蚀工艺：把产品放在烧杯里加浓硫酸，加热就可以去掉封装，呵呵！
四、ASEMI集成整流桥mb6s参数有？
ASEMI整流桥MB6S的尺寸图如下：
厚度是2.5±0.2mm。
五、mb6s整流桥堆怎样判断好坏？
1、整流桥堆好坏的测量方法：检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
2、整流桥堆就是由两个或四个二极管组成的整流器件。桥堆有半桥和全桥以及三相桥三种半桥又有正半桥和负半桥两种，堆桥的文字符
六、mb6s贴片整流桥怎样测量好坏？
、整流桥堆好坏的测量方法：检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之间各整流二极管的正、反向电阻值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该二极管已击穿或开路损坏。
七、mb6s整流桥输入220输出多少v？
桥式整流输出应该O、9倍即脉动直流为198V。桥式整流有D1、D2、D3、D4，交流电正半周时D1、D3导通，电流到负载上电压上正下负，当交流电负半周时D2、D4导通，电流也流到负载电压上正下负。这样原正弦变化交流电变成每周脉动二次的脉动直流电。UD=O、9UJ。
八、电脑芯片和电脑芯片是什么关系？
电脑芯片①和电脑芯片②分别指什么芯片？
这问题问的我一头雾水(๑•̌.•̑๑)ˀ̣ˀ̣
九、ASEMI贴片整流桥MB6S，LED驱动器电源能用吗？
可以用，只要电流和耐压合适就行，要留出一定的余量。
MB6S参数描述
型号：MB6S
封装：MBS-4 (SOP-4)
特性：小方桥、贴片桥堆
电性参数：1A 600V
芯片材质：GPP
正向电流(Io)：1A
芯片个数：4
正向电压(VF)：1.1V
浪涌电流Ifsm：30A
漏电流(Ir)：10uA
工作温度：-55~+150℃
引线数量：4
MB6S的电性参数：正向平均电流1A；反向峰值电压600V
MB6S的包装方式：3000pcs/盘
MB6S的特征：
1、表面贴装应用的理想选择
2、使用的塑料材料带有保险商实验室易燃性识别
3、浪涌过载额定值为30安培
4、高温焊接保证265℃/10秒
MB6S的机械数据：
1、外壳：模压塑料
2、端子：根据MIL-STD-202可焊接的电镀引线
3、极性：标记在产品上
4、重量：0.0044盎司，0.125克（大约）
十、重庆的芯片公司？
重庆半导体挺发达的，封测和功率半导体都很强。这里聚集着大批集成电路半导体企业。包括SK海力士、平伟实业、嘉凌新等封测企业，恩智浦、紫光展锐、中星微电子、伟特森、中科芯亿达、雅特力科技、重庆西南集成电路设计、芯思迈、弗瑞科技、物奇科技等芯片设计企业，华润为电子、中科渝芯、AOS万国半导体、紫光DRAM存储芯片、信芯量子等半导体制造企业。
相关FAB厂，重庆已经建成或正在建设的12英寸半导体项目包括华润微12英寸功率半导体晶圆产线项目、重庆万国12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地、以及CUMEC公司12英寸高端特色工艺平台等。
其中，华润微电子重庆12吋晶圆制造生产线及先进功率封测基地已经双双通线。项目总投资75.5亿元，项目建成后预计将形成月产3-3.5万片12英寸中高端功率半导体晶圆生产能力，并配套建设12英寸外延及薄片工艺能力。
重庆万国是全球第一家集12英寸芯片及封装测试为一体的功率半导体企业，具全球最尖端的电源管理及功率器件的自有产品的芯片制造与封装测试。项目总投资10亿美元，将逐步构建起包括芯片研发、设计、制造、封装、测试等环节的完整产业链，促进重庆电子信息产业从笔电基地到“芯屏器核”智能终端的全产业的生态链布局。
CUMEC公司是重庆市政府重磅打造的国家级国际化新型研发机构，首期投资超30亿元，主要围绕高端工艺开发和产品核心IP协同设计的定位，构建硅基光电子、异质异构三维集成、锗硅射频等高端工艺研发平台，在3-5年逐步建成国际主流的8吋先导特色工艺以及国际一流的12吋高端特色工艺平台，计划投资超百亿元。