一、存储芯片用bjt还是fet？
存储芯片使用的是FET（场效应管）而非BJT（双极性晶体管）。原因在于FET具有更高的输入电阻、更低的功耗和更高的噪声容限，这些特性使得FET更加适合于高密度存储器件的设计。
此外，FET还具有更高的开关速度和更好的线性性能，使得存储器件在读取和写入数据时能够更加快速和精确。因此，FET是存储芯片中更为常见的选择。
二、双半fet总线开关芯片内部原理？
原理：即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极。当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电
三、MOS—FET如何保存？
很简单，找个餐巾纸，抓一把米烘烤后，把MOS用面纸抱起来，然后和米一起放在自封袋内，有抗静电袋子最好
四、fet是什么塑料？
fet是半导体塑料。
半导体塑料的最重要的性质之一是在外加电压下可以发光，这可以应用于开发小型高分辨的彩色显示器件，这种显示器件可用于手表、手机，甚至只有一厘米厚的标准大小的电视。由于高分子是柔软的，这意味着，不久，这种显示器可以做成电子海报、布告栏，甚至壁纸。最终，我们的笔记本电脑也许可以折叠起来，有研究者甚至开始研制机器人的塑料皮肤，使机器人有触觉。
五、fet与bit的区别？
fet和bit的区别如下：
1、容量大小不同： bit (bit)是表示信息的最小单位，是指一位包含的二进制数字或两个选择中一位所需的信息量。fet包含8 bits，它是数据存储的基本单元，1 fet也被称为字节，用一个字节(fet)存储，可以区分256个数字。
2、存储数据类型不同： bit是计算机存储器中最小的单位，在一个二进位计算机系统中，每一个 bit都可能代表一个0或1的数字信号。fet由8 bits组成，可以表示一个单词(A到 Z)、数字(0-9)、或符号，是记忆体存储数据的基本单位，至于中文单词则须用两个词。
六、fet的跨导定义？
跨导（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。
中文名
跨导
外文名
Transconductance
符号
℧
分类
电子术语
跨阻（转移电阻），也常常被称为互阻，是跨导的双重性。它是指两个输出点电压变化与两个输入点电流变化的比值，记为rm：
跨阻国际单位就是欧姆，就像阻力一样。
跨阻（或转移阻抗）是互阻的交流等效，是互导的二元。[2]
七、fet是什么意思？
FET是“Field Effect Transistor，场效应晶体管”的英文缩写，它是由p型半导体和n型半导体所构成的pn结组成。
场效晶体管（场效应晶体管、场效应管)是一种用电场效应来控制电流的电子器件。场效应晶体管是一种三极管，包括源极、栅极和漏极。场效应晶体管通过向栅极施加电压来控制电流，这反过来会改变漏极和源极之间的电导率。
场效应晶体管因其只需要一种载流子起作用，故又称为单极型晶体管。即，场效应晶体管以电子或空穴中的一种作为载流子。现已有许多不同类型的场效应晶体管。场效应晶体管通常在低频时显示非常高的输入阻抗。
八、fet和post的区别？
1. get是从服务器上获取数据，post是向服务器传送数据。 2. get是把参数数据队列加到提交表单的ACTION属性所指的URL中，值和表单内各个字段一一对应，在URL中可以看到。post是通过HTTP post机制，将表单内各个字段与其内容放置在HTML HEADER内一起传送到ACTION属性所指的URL地址。用户看不到这个过程。 3. 对于get方式，服务器端用Request.QueryString获取变量的值，对于post方式，服务器端用Request.Form获取提交的数据。 4. get传送的数据量较小，不能大于2KB。post传送的数据量较大，一般被默认为不受限制。但理论上，IIS4中最大量为80KB，IIS5中为100KB。 5. get安全性非常低，post安全性较高。但是执行效率却比Post方法好。 建议： 1、get方式的安全性较Post方式要差些，包含机密信息的话，建议用Post数据提交方式； 2、在做数据查询时，建议用Get方式；而在做数据添加、修改或删除时，建议用Post方式；
九、fet的互导是什么？
场效应晶体管分为结场效应晶体管（JFET）和绝缘栅型场效应晶体管（MOSFET）。每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
FET的重要参数有：
1)夹断电压VP
当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP。
2)饱和漏电流IDSS
在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS。
3)击穿电压BVDS
表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS。
4)直流输入电阻RGS
在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻，这一特性有以流过栅极的电流来表示，JFET的RGS可达1000000000欧，而MOSFET的RGS可超过10000000000000欧。
5)低频跨导gm
在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导:gm= △ID/△VGS。gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力,是表征MOS管放大能力的一个重要参数,一般在十分之几至几mA/V的范围内
十、fet板是双面封吗？
FET板是否为双面封，取决于具体FET的封装形式。FET（场效应管）是一种半导体器件，具有高输入阻抗、低导通电阻、电压控制电流流动的特性。FET的封装形式多种多样，常见的有SOT-23、SOP-8、TO-220等。其中，有些封装形式是单面封，有些封装形式是双面封。单面封装是指FET的芯片只封装在电路板的一侧，而双面封装是指FET的芯片同时封装在电路板的两侧。双面封装的FET具有更好的散热性能，因此通常用于大功率器件。