一、5g芯片几纳米？
5g芯片没有固定的纳米制程要求，目前最小5纳米。
5g芯片，意思是指可连接5g高速数据服务的芯片。麒麟990 5G，同时也是全球首家旗舰级5G SoC芯片，该芯片采用了7nm + EUV工艺技术。紫光展锐发布了5G业务新品牌唐古拉系列，旗下一系列4G、5G芯片也被重新打造，其中搭载全球首款6纳米EUV（极紫外光刻）工艺5g芯片的处理器。三星电子发布旗下首款集成5G基带的移动SoC芯片Exynos 980，这颗芯片采用8nm工艺打造。麒麟9000是目前最强大的麒麟芯片，也是全球首款5纳米制程工艺的5g SoC。5g芯片的芯片制程要看手机制造商要求，没有固定规格。
二、5g芯片需要几纳米？
5g芯片没有固定的纳米制程要求，目前最小5纳米。
5g芯片，意思是指可连接5g高速数据服务的芯片。麒麟990 5G，同时也是全球首家旗舰级5G SoC芯片，该芯片采用了7nm + EUV工艺技术。紫光展锐发布了5G业务新品牌唐古拉系列，旗下一系列4G、5G芯片也被重新打造，其中搭载全球首款6纳米EUV（极紫外光刻）工艺5g芯片的处理器。三星电子发布旗下首款集成5G基带的移动SoC芯片Exynos 980，这颗芯片采用8nm工艺打造。麒麟9000是目前最强大的麒麟芯片，也是全球首款5纳米制程工艺的5g SoC。5g芯片的芯片制程要看手机制造商要求，没有固定规格。
三、5G基带芯片和射频芯片是几纳米？
5G射频芯片纳米是主流的90nm或65nm工艺。高通第三代5G基带芯片X60是全球首个5纳米制程基带芯片,下载速度可达7.5Gbps,上行速度可达3Gbps,并支持Voice-Over-NR 5G语音技术。
这种芯片支持全部的5G关键频段,射频芯片的晶体管数和模拟/射频的面积可以实现减小。
相对于之前的14纳米射频相比，由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将效率提升了35%，在面积上射频芯片减少了35%
四、5g毫米波芯片和5nm芯片的区别？
5G毫米波是5G芯片，5nm芯片说的是芯片的工艺。
五、3纳米芯片和4纳米芯片区别？
3纳米芯片和4纳米芯片的主要区别在于制造工艺的先进程度不同。在制造芯片时，纳米级别的物质被制造成一个完整的电路板，而制造工艺的不同将影响电路的大小、尺寸和性能。
3纳米芯片比4纳米芯片的制造工艺先进，它可以生产更多的晶体管，这意味着更高的性能和更低的功耗。此外，3纳米芯片还更适合未来的5G和AI应用等领域。
六、5纳米芯片和4纳米芯片区别？
工艺制程不同，晶体管密度不同。5纳米和4纳米最大区别就是工艺制程不同，即内部最小构成单位硅晶体管栅极宽度不同。5纳米晶体管密度大约为1.3亿只每平方毫米，4纳米为1.7亿只每平方毫米。
七、毫米波芯片用途？
由于波长短，毫米波用在雷达、成像等方面有着更高的分辨率。到目前为止，人们对毫米波已开展了大量的研究，各种毫米波系统已得到广泛的应用。随着第5代移动通信、汽车自动驾驶、安检等民用技术的快速发展，毫米波将被广泛应用于人们日常生活的方方面面。
八、5g芯片3纳米什么概念？
3纳米有可能是半导体大厂间先进工艺之争的下一个重要节点。半导体专家莫大康指出，真正发生重大变革的是3纳米，因为从3纳米开始半导体厂商会放弃FinFET架构转向GAA晶体管。
莫大康表示，市场预测5纳米可能与10纳米相同，是一个过渡节点，未来将迅速转向3纳米。但是现在半导体公司采用的FinFET架构已不再适用3纳米节点，需要探索新的工艺架构。
也就是说，在这个技术岔道口，三星有可能对台积电发起更强力的挑战。三星在“2019三星代工论坛”（Samsung Foundry Forum 2019）上，曾发布新一代闸极环栅（GAA，Gate-All-Around）工艺。因此，外界预计三星将在3纳米节点使用GAA环栅架构工艺。三星电子的半导体部门表示，基于GAA工艺的3纳米芯片面积可以比最近完成开发的5纳米产品面积缩小35%以上，耗电量减少50%，处理速度可提高30%左右。
九、7纳米5g芯片有哪些？
目前有7nm5g芯片的有高通骁龙、华为麒麟、联发科天玑、三星Exynos 、苹果A系列。以下分类列出
麒麟7nm5g芯片有：麒麟9000，麒麟990、麒麟820、麒麟985
骁龙7nm5g芯片有：骁龙735、骁龙865、骁龙888
联发科天玑7nm5g芯片有：天玑1000c、天玑820
三星Exynos 7nm5g芯片有：Exynos 9825、Exynos 990、Exynos 980
苹果7nm5g芯片有：A12、A13
以上为整理的7纳米5g芯片大概有十几种。
十、5g射频芯片多少纳米？
5G射频芯片纳米是主流的90nm或65nm工艺。高通第三代5G基带芯片X60是全球首个5纳米制程基带芯片,下载速度可达7.5Gbps,上行速度可达3Gbps,并支持Voice-Over-NR 5G语音技术。
这种芯片支持全部的5G关键频段,射频芯片的晶体管数和模拟/射频的面积可以实现减小。
相对于之前的14纳米射频相比，由于采用RFeFET架构创新，三星的8纳米射频工艺技术将效率提升了35%，在面积上射频芯片减少了35%。